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NE856M02-T1-AZ中文资料

NE856M02-T1-AZ图片

NE856M02-T1-AZ外观图

  • 大小:1418KB
  • 厂家:
  • 描述:RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:RF 晶体管 (BJT)
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
  • 频率 - 转换:6.5GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率):1.1dB ~ 3dB @ 1GHz
  • 增益:-
  • 功率 - 最大:1.2W
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 20mA,10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商设备封装:SOT-89
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NE856M02-T1-AZ-NDNE856M02-T1-AZTR

NE856M02-T1-AZ供应商

更新时间:2023-02-18 04:17:12
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